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DMT6009LFG-7  与  BSZ100N06LS3 G  区别

型号 DMT6009LFG-7 BSZ100N06LS3 G
唯样编号 A-DMT6009LFG-7 A-BSZ100N06LS3 G
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 功率MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 11A PWRDI3333
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
Rds On(Max)@Id,Vgs - 7.7mΩ
上升时间 - 58ns
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 2.08W(Ta),19.2W(Tc) 50W
Qg-栅极电荷 - 45nC
RdsOn(Max)@Id,Vgs 10mΩ@13.5A,10V -
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1925 pF @ 30 V -
栅极电压Vgs ±16V 20V
正向跨导 - 最小值 - 20S
典型关闭延迟时间 - 19ns
FET类型 N-Channel N-Channel
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 33.5 nC @ 10 V -
封装/外壳 PowerDI3333-8 -
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 11A(Ta),34A(Tc) 20A
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - OptiMOS3
驱动电压 4.5V,10V -
长度 - 3.3mm
下降时间 - 8ns
高度 - 1.10mm
库存与单价
库存 0 5,000
工厂交货期 56 - 70天 3 - 5天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMT6009LFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

PowerDI3333-8

暂无价格 0 当前型号
BSZ100N06LS3 G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSZ100N06LS3GATMA1_3.3mm

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DMT6009LFG-13 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

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